首尔国立大学 学分:首尔国立大学 自从石墨烯从大块石墨中成功分离出来后，石墨烯的优异性能吸引了许多科学家进入二维材料这一全新的研究领域
然而，尽管石墨烯具有优异的载流子迁移率，但由于其无间隙能带结构，石墨烯直接应用于场效应晶体管受到严重阻碍
另一方面，半导体过渡金属二元化合物在过去十年中受到了广泛关注
然而，紫外相关光电器件、电力电子器件和介电层需要大于3 eV的宽带隙二维材料
一个有希望的候选物是过渡金属氧化物，它具有大的带隙、结构多样性和可调的物理/化学特性
然而，直到现在，原子级薄膜晶体管的可扩展生长仍然具有挑战性，因为它在生长过程中很容易出现晶格失配应变和强衬底夹持
最近，由教授领导的研究小组
首尔国立大学的李光贤利用范德瓦尔斯(vdW)外延生长法克服了这个问题
研究小组报道了一种在石墨烯基底上可扩展生长正交氧化钼(α-MoO3)纳米片的新方法
这项工作的一个重要问题是厚度对电性能和物理性能的影响
为了解决这个问题，进行了全面的原子力显微镜研究，以探索不同厚度的氧化钼层的结构和电学特性
有趣的是，原子力显微镜研究显示，即使三氧化钼纳米片比2 - 3层厚(1
4 - 2
厚度为1纳米)
特别是，与其他六角形二维材料相比，摩擦的厚度敏感性非常小
这一有趣的结果归因于单层MoO3的双八面体平面，原子间间距非常小
此外，功函数和介电常数也与厚度无关，与厚度无关的电子能带结构也不变
此外，研究小组表明，氧化钼纳米片获得了大电流间隙和高介电常数，强调氧化钼可用作有前途的二维介电材料
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