日本科学技术署 集成了约35，000个WS2单层单晶的衬底(左图)，以及WS2单层单晶的结构示意图(右图)
信用:加藤俊树 在日本科学技术署的战略基础研究项目中，东北大学工程研究生院电子工程系的加藤俊树副教授和菅野俊弘教授成功地阐明了关于过渡金属二元化合物(TMD)的新合成机制，TMD是具有原子级厚度的半导体原子片
由于在特殊环境中很难直接观察到TMD生长过程的各个方面，最初的生长过程仍然不清楚，因此希望阐明合成的详细机制以获得高质量的TMD
我们的研究小组开发了一种原位观察合成方法，用于在腐蚀性气体存在的情况下，在大约800℃的特殊高温气氛中，以实时光学图像的形式检查TMD的生长情况
此外，已经预先开发了合成基底，其是在前驱体的晶体生长期间控制扩散的机制；此外，已经阐明生长的前体扩散的距离比常规半导体材料大大约100倍
还证明了成核是由于前体以液滴状态参与而发生的
此外，通过利用该方法，已经在实际规模的衬底上实现了超过35，000个单层单晶原子片的大规模集成(图1)
利用目前的研究结果，可以制造原子级厚半导体原子片的大规模集成，并有望在下一代柔性电子领域中投入实际应用
来源：由phyica.com整理转载自PH，转载请保留出处和链接！
