作者:DGIST 2D晶体材料二硫化钼谷畴的形成图及其电流信号控制
信用:DGIST 一个DGIST研究小组发现了一种理论，这种理论可以扩展瓦列电子技术的发展，瓦列电子技术作为下一代半导体技术已经引起了人们的关注
这有望进一步推动valleytronics技术的发展，使下一代磁技术超越现有的数据处理速度
DGIST于6月17日星期一宣布，DGIST新兴材料科学部的李在东教授的研究团队发现了谷畴的形成，这将有助于下一代半导体的性能、反常电流的发展及其控制机制
这项研究具有重要意义，因为它发现并应用了谷域、海流和两种不同物理量之间的相互关系
谷是能带能量的顶点或边缘，也称为谷自旋
山谷电子学是利用确定山谷的量子数量来存储和使用信息
它适用于未来的电子器件和量子计算技术，因为它的量子信息存储超过了现有的电荷或自旋控制技术
由于valleytronics在下一代半导体工程领域具有包括自旋电子学和纳米电子学在内的无限潜力，许多研究人员正在对谷控进行研究
然而，由于难以保证稳定性和足够多的谷，实际应用性不高
由应变变化引起的谷域控制和异常横向电流的生成图
信用:DGIST 通过这项研究，李在东教授的团队通过发现下一代二维单层半导体材料二硫化钼中谷畴的形成，解决了谷自旋的稳定性问题
谷畴被定义为物质内部具有相同谷动量的电子的畴
研究小组发现，在极端纳米结构中形成的谷域可以用来代替自旋存储信息
此外，研究小组发现，他们可以通过控制谷域的大小产生异常的横向电流
反常横向电流不可避免地由于畴壁的移动而发生，并且沿着谷畴的移动只流向一个方向
他们还提出并展示了二极管机制的适用性，这是一种不同于现有异质结构半导体二极管的单晶纳米结构物质
新兴材料科学系的李在东教授说:“通过这项研究，我们发现了谷电子的核心理论，它可以在单一的二维晶体材料中同时使用谷磁和电信号控制这两种不同的现象
我们希望valleytronics研究能够应用于更多领域，以加速低功耗、高速信息存储平台的发展
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