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HAMFRINATO等，用像差校正的电子束光刻的1nm长度刻度进行图案化Si：调谐通过设计，进阶
功能该
母校
2019 1903429
WILEY-VCH有限公司
本文转载RES电浆属性earchers开发了一种创造纳米材料的创新技术
这些是只有原子宽
他们吸引纳米科学，让科学家控制其结构和行为
新的电子束纳米制备技术，等离子体工程，在硅的图案化上实现了前所未有的近原子尺度控制
使用该方法构建的结构产生了电光特性的记录高调在本研究中，使用等离子体工程师控制硅的光学和电子性质
该技术使用像差校正的电子束光刻
该过程涉及使用电子束改变材料的表面
[等离子体工程允许研究人员在近原子秤上修改材料的使用“常规”光刻意味着这种方法可以应用于工业应用
它将受益研究人员光通信，传感和量子计算
单纳米分辨率的图案化材料允许科学家精确地工程师量子限制效应
量子效应在这些长度尺度上具有重要意义，并控制纳米结构尺寸提供S对电气和光学性能的直接控制硅是迄今为止最广泛使用的电子元件中最广泛使用的半导体材料，并且非常希望制造用于新型设备工程的最小尺寸的基于硅氧烷的装置
在Brookhaven的功能纳米材料中心的研究人员，能量用户设施部，使用像差校正的电子束光刻与干反应离子蚀刻相结合，实现了1纳米特征的图案化，以及硅的表面和体积等离子体工程
这里采用的纳米制备技术产生具有1纳米的线边缘粗糙度的纳米线此外，该工作证明硅体积等离子体能量的调节1
[1]23]来自散装值的2个电子伏，这比使用光刻方法的先前体积等离子体工程尝试的10倍
该研究在先进的功能材料中公布
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