作者埃琳娜·阿隆索-雷东多 脉冲聚焦电子束诱导刻蚀前后的二硫化钼场效应晶体管器件
信用:费尔南多J
乌尔瓦诺斯 用剥落的二维材料制造电子器件可能很棘手
IMDEA Nanociencia的Daniel Granados团队设计了一种解决方案，包括使用脉冲聚焦电子束诱导蚀刻对MoS2-场效应晶体管进行后加工定制
过渡金属二元化合物是由范德华力结合在一起的二维原子薄层
这些材料的物理性能随厚度变化，可用于不同的光电应用
例如，二硫化钼的能带结构直接带隙为1
单层8电子伏，厚度1
2电子伏体间接带隙
二硫化钼的原子薄层可以通过微机械剥离来分离，但是由机械剥离的二硫化钼制造光电子器件是一个复杂的过程
该装置的几何形状在所有情况下都受到剥落薄片形状的限制，即使采用确定的冲压方法也是如此
即使当使用化学气相沉积(CVD)技术时，器件制造也受到生长在具有减小的尺寸和不同物理特性的岛中的材料的阻碍
因此，开发在制造步骤完成后定制器件几何形状的技术非常有意义
教授小组
IMDEA Nanociencia的丹尼尔·格拉纳多斯(Daniel Granados)通过修改由剥离的二氧化硅制成的几个场效应晶体管的几何形状，找到了一个聪明的解决方案。
所提出的方法利用脉冲电子束的聚焦电子束诱导蚀刻的变化
该光束使用图案发生器将表面扫描成设计的几何形状，修改晶体管的源极和漏极之间的导电沟道，并允许定制的器件性能
教授
格拉纳多斯喜欢用流体动力学的比喻:“它就像湍流，经过一定的缝隙后变成层流；我们特制的传导通道允许电子通过具有相同性质的二硫化钼薄片区域
" 进一步研究了这种方法的效果，以验证改进后的器件的性能
格拉纳多斯的团队发现，90%的器件在纳米图案化后仍能工作
此外，他们研究了从明显的重氮型掺杂向本征或轻磷型掺杂的转变，并将这种转变归因于蚀刻时产生的硫空位
光致发光和拉曼光谱研究证实了掺杂偏移
与使用几个制造步骤的方法相比，这种方法具有几个优点
首先，它将图案化和蚀刻结合成一个步骤，而不是两步纳米制造过程
第二，它允许在一个简单的方案中在剪裁步骤之前和之后进行电子和光学表征
最后，脉冲电子束曝光是一种电子束能量低于其他研究的化学方法(2
5千伏)，这减少了样品损伤并防止了二硫化钼晶格的变形
由于这些优点，由Granados等人提出的纳米晶体
是昂贵且耗时的纳米制造技术的显著替代物，并且在电子和光电子器件的电学和几何特性的制造后定制方面具有巨大的潜力
来源：由phyica.com整理转载自PH，转载请保留出处和链接！
