中国科学院 单晶In0的生长机理及1550纳米红外快速检测
28Ga0
72Sb三元纳米线信用:韩宁 中国科学家合成了具有高载流子迁移率和快速红外光响应的新型纳米线，这有助于高速通信
他们的发现发表在4月10日的《自然通讯》上
有效的光通信需要1550纳米的红外线，红外线被接收并转换成电信号供计算机处理
因此，快速的光电转换对于高速通信至关重要
根据量子理论，1550纳米的红外能量约为0
8电子伏，只能由带隙小于0的半导体检测
8电子伏，如锗(0
66 eV)和ⅲ-ⅴ族化合物材料，如InxGa1-xAs (0
35-1
42 eV)和InxGa1-xSb (0
17-0
73电子伏)
然而，这些材料通常具有巨大的晶体缺陷，这导致光响应性能的显著退化
中国科学院过程工程研究所、香港城市大学的科学家和他们的合作者合成了高度结晶的三元In0
28Ga0
展示高载流子迁移率和快速红外响应的72Sb纳米线
在这项研究中，In0
28Ga0
72Sb纳米线(带隙0
69电子伏)显示出6000安/瓦对红外的高响应度，高响应和衰减时间为0
038ms和0
053毫秒，这是迄今为止最好的时光
快速的红外响应速度可以归因于最小化的晶体缺陷，这也可以通过高达200 cm2/Vs的高空穴迁移率来说明
约翰尼·C
城市大学何
最小化的晶体缺陷是由何氏集团首先建立的“催化剂外延技术”实现的
简而言之，ⅲ-ⅴ族化合物纳米线由金属催化剂如金、镍等催化生长
“这些催化剂纳米粒子在纳米线生长中起着关键作用，因为纳米线是一层一层合成的，原子与催化剂中的原子排列良好，”该论文的资深作者、国际石油工程学院教授韩宁说
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