美国物理研究所 这是一个数控场效应晶体管的示意图，其中兼容互补金属氧化物半导体的铁电HZO层是栅叠层的一部分，以实现栅叠层中的负电容和低于60 mV/dec的晶体管操作
信用:培德D
你 智能手机包含数十亿个被称为晶体管的微小开关，使我们能够处理除了打电话之外的无数任务——发送短信、浏览社区、自拍和搜索姓名
这些开关包括一个导电沟道，其导电性可以通过一个栅极端子来改变，该栅极端子通过一个只有5到6个原子厚的电介质膜与沟道隔开
在过去的50年里，晶体管已经根据摩尔定律小型化了，摩尔定律是一种观察，即一个芯片上的晶体管数量大约每18个月可以翻一番，同时成本减半
但是我们现在已经到了晶体管不能再进一步缩小的地步
在《应用物理快报》杂志上，研究人员回顾了负电容场效应晶体管(NC-FETs)，这是一种新的器件概念，表明传统晶体管可以通过简单地添加一薄层铁电材料来提高效率。
如果它工作，同样的芯片可以计算更多，但需要更少的电池充电频率
这项技术的物理学正在世界范围内被评估，在他们的文章中，研究人员总结了数控场效应晶体管的最新工作，以及对文献中报道的各种实验进行自洽和连贯解释的必要性
普渡大学电气和计算机工程教授穆罕默德·阿什拉夫·阿拉姆说:“数控场效应晶体管最初是由我的同事苏普利约·达塔教授和他的研究生萨耶夫·萨拉赫丁提出的，他现在是加州大学伯克利分校的教授。”
从一开始，阿拉姆就发现数控场效应晶体管的概念很有趣——不仅因为它解决了为半导体工业寻找新的电子开关的紧迫问题，还因为它为统称为“朗道开关”的一大类相变器件提供了概念框架
" “最近，当我的同事和合著者叶培德教授开始实验性地演示这些晶体管时，这是一个与他一起探索这种器件技术的深刻而有趣的特征的机会，”阿拉姆说
“我们的文章总结了我们关于这个主题的‘理论家-实验主义者’的观点
" 虽然已有数百篇论文发表在这个主题上，但据研究人员称，准静态数控的有效性和数控场效应晶体管的频率可靠性极限仍在激烈辩论
如果得到决定性的证明并集成到现代集成电路中，纳米场效应晶体管的影响将是革命性的
“鉴于其潜力，有必要对设备概念进行系统分析，”叶说
“我们发现，来自不同群体的数据有很大的差异，研究人员正在使用非常不同的技术来表征他们的设备
这需要对现有数据集进行综合全面的分析
" 研究人员希望他们的工作将把社区聚集在一起，为实现这一有前途的技术提出协调进展的方法
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