洛桑联邦理工学院 EPFL的研究人员发现了一种控制和标准化硅表面纳米线生产的方法
学分:洛桑联邦理工学院(EPFL) 纳米线有可能革新我们周围的技术
这些微小的针状晶体结构直径只有5-100纳米(一纳米等于百万分之一毫米)，可以改变电流或光线通过它们的方式
它们可以发射、聚集和吸收光，因此可以用来给电子芯片增加光学功能
例如，它们可以直接在硅片上产生激光，并集成单光子发射器用于编码
它们甚至可以应用于太阳能电池板，以改善阳光转化为电能的方式
到目前为止，在硅半导体上生长纳米线的过程是不可能重现的——没有办法在特定位置重复生产同质纳米线
但是EPFL半导体材料实验室的研究人员，由安娜·方库伯塔·伊·莫拉尔领导，与麻省理工学院和IOFFE研究所的同事一起，提出了一种以高度可控和完全可复制的方式生长纳米线网络的方法
关键是要理解纳米线生长开始时会发生什么，这与目前公认的理论相悖
他们的工作发表在《自然通讯》上
“我们认为这一发现将使在硅衬底上整合一系列纳米线成为可能，”丰特库贝塔·伊·莫拉尔说
“到目前为止，这些纳米线必须单独生长，这个过程无法复制
" 开口内液滴的两种不同配置——完全填充和部分填充的孔，以及在大小镓液滴下方形成完整环或台阶的GaAs晶体的下图
学分:洛桑联邦理工学院(EPFL) 获得正确的比率 生产纳米线的标准工艺是在一氧化硅上打小孔，然后用液态镓的纳米滴填充
这种物质与砷接触后会凝固
但是在这个过程中，这种物质倾向于在纳米孔的角落变硬，这意味着纳米线生长的角度无法预测
人们一直在寻找一种方法来制造同质纳米线并控制它们的位置
旨在控制生产过程的研究往往集中在井眼直径上，但这种方法并没有得到回报
现在，EPFL的研究人员已经表明，通过改变孔的直径与高度之比，他们可以完美地控制纳米线的生长方式
在合适的比例下，这种物质会在孔的边缘周围固化成一个环，这阻止了纳米线以非垂直的角度生长
研究人员的过程应该适用于所有类型的纳米线
“这有点像种植植物
他们需要水和阳光，但你必须得到正确的数量，”丰特库伯塔·伊·莫拉尔说
这种新的生产技术将有利于纳米线的研究，进一步的样品将很快开发出来
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