标签A，B，C并且D代表由脱位存在的硅晶片的四个不同的偏移
在结构域中的硅原子，Zr的边界和Zr顶部分别是蓝色的，黄色和红色
最顶层Zr原子是有色灰色
暗灰色Zr原子用于可视化通过红色原子的位置可视化的域的偏移它们对应对于单结构域A的红色Si原子的位置
绿线在通过4个脱位的反应中将四个连续域与单个结构域A合并到单结构域A之前和之后的Si原子的位置[然后可以将一排Si原子（粉红色）掺入所得的间隙中
底板：STM图像显示本质上发现的路径以解决该原子拼图
信用：日本先进的科学技术研究所我们可能会想象水晶是完美的结构，但实际上它们通常会困扰“缺陷
”“奇怪的情况，这种缺陷通常出现在遭受重组的原子为了降低系统的能量并达到稳定性
“脱臼可以强烈影响晶体的物理和化学性质
此外，当例如将菌株施加在晶体中时，它们可以经历”反应“在其表面上加入原子
研究脱位如何反应，因此，对如何治愈这些晶体缺陷的重要见解，这些晶体缺陷对锆硼化锆（ZRB2）提供了一个完美的试验台，用于该硅的硅
特征在几个Si原子是停工部件时，一系列脱位阵列消失D在其顶部该转化，其抑制在表面上存在未染色的Si原子引起的高能量成本，需要四个脱位的反应来产生容纳沉积原子所需的房间硅片
所以需要大量原子的运动并克服脱位之间的排斥相互作用，这一转变乍一看非常不太可能：它是必须解决的名副其实的原子拼图综合沉积的原子，“日本高级讲师Antoine Fleurence表示，日本高级科学技术研究所（JAIST），他们在2D材料上工作
STM图像S显示自然发现的路径来解决这个原子拼图
信贷：日本先进的科学技术研究所在一项新的研究中发表于2D材料，博士
浮士和他的同事，教授
yukiko yamada-takamura从Jaist，使用扫描隧道显微镜（STM）在沉积硅（Si）原子的实时后，使用扫描隧道显微镜（STM）在其上实时在硅片上的进化
监测性质使用的特征来整合沉积的Si原子并获得不含脱位的硅片片：硅片经历一系列位错反应，在此期间硅片内的Si原子的整合发生
本地“核心”单域岛屿EN在整个硅片上传播，最终导致错位，单域结构
“本研究提供的脱位动态的信息可用于找到愈合类似2D材料中结构缺陷的解决方案，界面和各种纳米材料，“Dr
fleurence
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