NYU·坦登工程学院 一个一个原子深的二硫化钼层，电极由热纳米尖端在一种叫做热扫描探针光刻的新过程中形成图案
NYU·坦登工程学院的研究人员发明了这种工艺，以比目前电子束光刻低得多的成本生产出高质量的半导体
信用:NYU·坦登 一个国际研究小组报告了在制造原子薄处理器方面的突破——这一发现可能对纳米芯片生产和全球实验室产生深远影响，科学家们正在全球实验室探索用于越来越小和越来越快的半导体的二维材料
该团队由纽约大学坦登工程学院化学和生物分子工程教授伊莉莎·里多领导，在最新一期的《自然电子学》中概述了研究结果
他们证明，使用加热到100摄氏度以上的探针的光刻技术优于在二硫化钼(二硫化钼)等二维半导体上制造金属电极的标准方法
这种过渡金属是科学家认为可能取代硅成为原子级小芯片的材料之一
该团队的新制造方法——热扫描探针光刻(t-SPL)——与今天的电子束光刻(EBL)相比，具有许多优势
首先，热光刻显著提高了二维晶体管的质量，抵消了肖特基势垒，肖特基势垒阻碍了金属和二维衬底相交处的电子流
此外，与EBL不同，热光刻允许芯片设计者容易地对二维半导体成像，然后在需要的地方形成电极图案
此外，t-SPL制造系统承诺显著的初始节约和运行成本:它们通过在环境条件下运行，消除了产生高能电子和产生超高真空的需要，显著降低了功耗
最后，通过使用平行热探针，这种热制造方法可以容易地扩大到工业生产
在NYU坦登工程学院皮科力实验室，伊莉莎·里多教授和博士生刘翔宇使用他们发明的热扫描探针光刻工艺和SwissLitho的纳米剃刀设备制造高质量的2D芯片
该工艺有望成为当今电子束光刻技术的替代产品
信用:NYU·坦登 里多表示，希望t-SPL将把大部分制造工作从稀缺的洁净室(研究人员必须在那里与昂贵的设备争夺时间)转移到单个实验室，在那里他们可能会迅速推进材料科学和芯片设计
三维打印机的先例是一个恰当的类比:有一天，这些分辨率低于10纳米、在环境条件下以标准120伏电源运行的t-SPL工具，可能会在像她这样的研究实验室中变得同样无处不在
“使用热纳米光刻在具有消失的肖特基势垒的单层二氧化硅上构图金属接触”出现在2019年1月版的《自然电子学》上，可访问http://dx
工业部
org/10
1038/s41928-018-0191-0，带有“新闻与观点”分析，网址为https://www
自然
com/articles/s 14928-018-0197-7
里多在热探测器方面的工作可以追溯到十多年前，首先是在国际商用机器公司苏黎世研究部，随后是由前国际商用机器公司研究人员创建的SwissLitho
一种基于SwissLitho系统的工艺被开发并用于当前的研究
她开始在纽约城市大学(纽约市立大学)研究生中心高级科学研究中心(ASRC)探索金属纳米制造的热光刻技术，与该论文的共同作者·郑和安娜莉萨·卡洛一起工作，她们现在是·坦登的博士后研究员；还有爱德华多·阿尔比塞特，她在里多团队工作，获得了玛丽·居里奖学金
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