美国国家科学技术研究委员会
(a-c)将hBN转移到ITO/PET衬底上(d) hBN/ITO/PET衬底上；使用旋涂技术形成量子点单层；(f-g)通过使用热蒸发工艺将hBN转移到QD/hBN/ITO/PET衬底上(h)在hBN/QD/hBN/ITO/PET上沉积金电极；㈠该装置的照片
信用:韩国科学技术研究所 基于二维(2D)纳米材料的柔性存储设备是下一代可穿戴市场的关键元素，因为它在数据存储、处理和通信方面发挥着至关重要的作用
用几纳米(nm)的2D纳米材料实现的超薄存储器件可以显著增加存储密度，从而开发出采用2D纳米材料的柔性可变电阻存储器
然而，由于纳米材料的弱载流子俘获特性，使用传统2D纳米材料的存储器具有局限性
在韩国科学技术研究所高级复合材料研究所，由博士领导的研究小组
Dong-Ick Son宣布开发基于异质低维超薄纳米结构的透明柔性存储器件
为此，单层零维(0D)量子点被形成并夹在两个绝缘的2D六方氮化硼(h-BN)超薄纳米材料结构之间
研究团队通过在活性层中引入具有优异量子李米效应的0D量子点，控制2D纳米材料中的载流子，实现了一种可能成为下一代存储器候选的器件
基于此，0D量子点被成形为垂直堆叠的复合结构，其被夹在2D六边形h-BN纳米材料之间，以产生透明且柔性的器件
因此，所开发的装置即使在弯曲时也能保持80%以上的透明度和记忆功能
博士；医生
Dong-Ick Son表示，“通过在绝缘六方h-BN上呈现量子点堆叠控制技术，我们取代了导电石墨烯，为超薄纳米复合材料结构研究奠定了基础，并显著揭示了下一代存储器件的制造和驱动原理
”他接着补充道，“我们计划在未来将异质低维纳米材料组成的堆控技术系统化，并扩大其应用范围。”
" 这项研究发表在《复合材料第二部分:工程》上
来源：由phyica.com整理转载自PH，转载请保留出处和链接！
