美国国家科学技术研究委员会
《先进功能材料》10月刊封面论文
学分:韩国材料科学研究所(KIMS) 韩国研究人员在国内首次成功开发了下一代神经形态(神经网络模拟)半导体的核心材料
这是由Dr
韩国材料科学研究所能源与电子材料系的郑大权和金永勋，以及中布国立大学赵炳金教授的研究团队
KIMS是科学和信通技术部下属的一个政府资助的研究所
这种新概念记忆晶体管使用厚度为几纳米的二维纳米材料
通过用1000多种电刺激可重复地模仿神经突触的电可塑性，研究人员成功地获得了大约94的高模式识别率
2%(基于模拟的模式识别率为98%)
广泛用作半导体材料的钼硫(MoS2)的工作原理是单晶中的缺陷被外部电场移动，这使得难以精确控制缺陷的浓度或形状
为了解决这个问题，研究小组依次堆叠氧化铌(Nb2O5)和钼硫材料的氧化层，并通过外部电场成功开发了具有高电气可靠性的mem晶体管结构的人工突触器件
此外，他们还证明了可以通过改变铌氧化层的厚度来自由控制电阻切换特性，并且可以用10 PJ(皮焦耳)的非常低的能量来处理与记忆和遗忘相关的大脑信息
目前，由于人工智能硬件以图形处理器、现场可编程门阵列和专用集成电路的形式消耗大量功率和成本，预计随着行业的未来发展，它将产生爆炸性需求
可穿戴人工智能市场预计将达到42美元
到2023年达到40亿，CAGR为29
75%从11美元左右
2018年为50亿
博士领导的研究小组
KIMS的郑大权和金永勋说:“使用高可靠性、基于新概念记忆晶体管结构的人工智能半导体可以大大降低电路密度和驱动能量
未来有望应用于低功耗边缘计算和可穿戴AI系统
" 这项研究作为封面论文发表在10月1日的《先进功能材料》杂志上
来源：由phyica.com整理转载自PH，转载请保留出处和链接！
