埃因霍温理工大学 学分:埃因霍温理工大学 公共卫生
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TU/e应用物理系的候选人Saravana Balaji Basuvalingam已经开发出一种新的方法，以一种受控且有效的方式来发展一个在低温下具有各种特性的所谓“TMC材料”库
这让世界离超越硅基半导体器件又近了一步
随着人类产生的数据量呈指数级增长，随之而来的是对处理这些数据的更小、更快、更便宜的电子设备的需求
为了满足这一需求，半导体行业一直在寻找将器件尺寸缩小到3纳米以下的方法
这种规模对该行业来说是一个重要的障碍，因为它接近硅(电路中最常用的材料)的极限
在这个规模之下，硅基器件的性能往往很差
某些二维材料，其中石墨烯可能是最著名的例子，提供了解决这个缩放问题的希望
这些材料的特点是每一层原子都独立于下面的原子层，没有任何连接这些层的键
被归类为过渡金属硫属化物的二维材料因其优异的电性能和小于1纳米的厚度而受到关注，使得器件性能类似于硅基器件，并且具有很大的扩展潜力
然而，一些综合限制限制了以成本有效的方式在工业中实施TMCs
Basuvalingam的研究旨在解决这些技术限制中的大部分，例如在足够大的面积上，在低温下，以良好的材料性能控制来生长TMCs
为此，他使用了一种被称为原子层沉积(ALD)法的薄膜方法
在半导体工业中，ALD方法是促进器件尺寸减小的主要方法之一，并且该方法已经被研究用于显示半导体特性的TMC
巴苏瓦林根是第一个研究ALD在低温下大面积生长具有半导体和金属特性的二维微晶玻璃的人，也是第一个利用薄膜合成控制微晶玻璃材料成分的人
他的方法还使得在200毫米的晶片上生长金属间化合物成为可能，并实现了对金属和半导体之间材料性质的控制
他的工作扩展了可以用薄膜方法生长的材料库，并帮助我们更接近由二维材料制成的更小、更具成本效益的电子设备
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