德国亥姆霍兹研究中心协会 在BESSY上用高分辨率角分辨光电发射测量了多畴GeTe (111)体单晶的费米表面
信用:HZB 碲化锗是一种铁电拉什巴半导体，具有许多有趣的特性
晶体由纳米畴组成，其铁电极化可以通过外部电场来切换
由于所谓的拉什巴效应，这种铁电性也可以用来转换每个畴内的电子自旋
因此，碲化锗对于自旋电子器件来说是一种有趣的材料，它允许以显著更少的能量输入进行数据处理
现在，一个来自HZB和罗蒙诺索夫国立大学的团队已经建立了一个亥姆霍兹-RSF联合研究小组，提供了对这种纳米材料的全面见解
该小组由物理化学家Dr
拉达·亚希纳(罗蒙诺索夫州立大学)和HZB物理学家博士
杰米·桑切兹-巴里加
“我们已经使用各种最先进的方法对这种材料进行了检查，不仅确定了它的原子结构，还确定了它的原子和电子结构之间在纳米尺度上的内在联系，”拉达·亚希纳说，她在实验室里制作了高质量的晶体样品
他们的显微镜研究表明，晶体具有两种不同类型的边界，围绕着尺寸在10到100纳米之间的铁电纳米畴
在BESSY II，研究小组能够观察到两个具有相反铁电极化的表面终端，并分析这些终端是如何对应于最顶层表面层具有锗或碲原子的纳米畴的
“在BESSY II，我们能够精确地分析在体或表面的自旋极化和铁电极化的相反结构之间的内在关系，”杰米·桑切兹-巴里加解释说
科学家们还确定了自旋结构是如何通过单个纳米畴内的铁电极化进行转换的
桑切斯-巴里加强调:“我们的结果对于铁电拉什巴半导体在非易失性自旋电子器件中的潜在应用非常重要，这些器件具有纳米级的扩展存储和计算能力。”
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