中国科学出版社 二态和三态自旋阀
(a)两个Fe3 gete 2-纳米片和(c)三个Fe3 gete 2-纳米片vdW同质结示意图，顶部h-BN钝化
(二)、(四)10 K时结电阻与垂直磁场的函数关系
信用:中国科学出版社 自旋阀的基本原理是电阻取决于两个铁磁电极的平行或反平行结构，从而与磁阻效应相关联，磁阻效应的基本结构由两种铁磁金属组成，通过插入非磁性间隔物来去耦
这种夹层结构中的磁流变效应是磁传感、数据存储和处理技术的基石，最能代表这一点的是过去20年来巨磁电阻和隧道磁电阻信息产业的发展
巨磁电阻效应和巨磁电阻效应的物理机制分别是由自旋相关散射或自旋隧道概率主导的电子输运造成的
为了产生可观的磁流变效应，电子的自旋力矩必须保持在间隔层和界面之间，这是自旋电子学的关键问题
因此，在优化间隔层和追求铁磁层和间隔层之间的高质量电子界面方面已经付出了巨大的努力
在这种背景下，二维范德瓦尔斯(vdW)层状材料——尤其是新兴的二维磁性材料——为研究人员提供了另一种通用的方法来解决传统磁性多层系统中的这种障碍
特别地，结合这些vdW材料而没有直接化学键合的同质或异质结，避免了相关的混合效应和缺陷诱导的间隙状态，可以显示出超过共价键合磁性多层的性能
由教授领导的研究小组
中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室王开友教授与
常凯和教授
魏最近报道了使用同质结制造没有间隔层的自旋阀，其中剥离的Fe3GeTe2纳米片充当铁磁电极和/或夹层
他们展示了两个和三个具有不同矫顽场的Fe3GeTe2纳米片的装置的两态和三态磁共振的教科书行为
有趣的是，全金属自旋阀显示出小电阻积(~ 10-4ω* cm2)和低工作电流密度(低至5 nA)，并且它们具有垂直双端设置，所有这些都是未来自旋电子学应用的重要特性
这项工作证明了两个没有间隔层的铁磁层足以获得经典的自旋阀效应，并证明了vdW界面的优越性
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