中国科学院刘佳 场效应晶体管的不同配置
信用:IMR 众所周知，鳍式场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的发展，其特征是半导体沟道由共形栅电极垂直包裹
它最早于20世纪90年代提出，是为了避免短沟道效应和晶体管尺寸缩小带来的其他缺点
由于纳米加工的限制，当前技术中的最小鳍宽度约为5纳米
在过去的几十年里，微电子学遵循摩尔定律飞速发展，每个区域的晶体管数量每两年增加一次
由于纳米制造精度的限制，现在进一步缩小集成电路上晶体管的尺寸极具挑战性
因此，寻找新的半导体材料候选材料是非常重要的
近年来，诸如碳纳米管和二维(2-D)材料的新材料已经被广泛研究用于实现纳米级晶体管
在《自然通讯》上发表的一项新研究中，中国科学院和法国金属研究所的研究人员旨在用二维单原子层取代传统的硅基鳍
研究人员设计了一种湿法喷射化学气相沉积方法，在高度约为300纳米的阶梯形模板上普遍生长过渡金属二元化合物单层
在多步蚀刻和纳米制造工艺的专用工作流程之后，垂直站立的单层二氧化硅沟道成功地用电介质和栅电极包裹，源电极和漏电极接触0
6纳米鳍沟道
栅电极也可以由碳纳米管薄膜制成
获得了这种最大似然场效应晶体管的最佳电性能，显示开/关比达到107，亚阈值摆幅约为300毫伏/秒，迁移率在几个厘米2伏-1秒-1的数量级
仿真结果表明，通过进一步优化多晶场效应晶体管的结构，漏极诱导势垒降低(DIBL)可以降低到5毫伏/伏
本研究通过自下而上的方法生长单层二氧化硅(厚度约为0
6纳米)作为鳍，这几乎是一个人实际上可以达到的物理极限
还展示了最小间距为50纳米的鳍阵列，为在可预见的未来实施纳米电子学提供了新的见解，在可预见的未来，摩尔定律可能不再有效
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