作者:IMEC汉内·德甘斯 基准研究:与文献相比，imec的4纳米、8纳米、12纳米氢氧化铪和50纳米二氧化硅器件具有出色的gmmax和SSmin组合
信用:IMEC 在今年的电气和电子工程师协会国际电子设备会议(2019年1 2月7日至11日)上，imec报告了一项对二硫化钼晶体管的深入研究，并展示了迄今为止此类材料的最佳器件性能
二硫化钼是一种二维材料，这意味着它可以以接近原子厚度和原子精度的稳定形式生长
Imec将材料合成到单层(0
6纳米厚度)和制造的器件，其接触和沟道长度按比例缩小，分别小至13纳米和30纳米
这些非常小的尺寸，加上小尺寸的栅氧化层厚度和高介电常数，使得到目前为止最好的器件性能得以展示
最重要的是，这些晶体管能够全面研究基本器件特性和TCAD模型的校准
校准后的TCAD模型用于为性能改进提供现实的途径
这里给出的结果证实了二维材料在极端晶体管规模方面的潜力，这对高性能逻辑和存储器应用都有好处
理论研究推荐二维材料作为极端晶体管尺寸的理想沟道材料，因为与当前的硅基器件相比，预计只有很少的短沟道效应
这种潜力的线索已经发表，其中一种晶体管建立在二维材料的天然薄片上
透射电子显微镜照片显示(a)接触长度为13纳米、沟道长度为29纳米的三层二氧化硅单层沟道，随着二氧化铪的变薄，转移特性改善了亚阈值摆幅
信用:IMEC imec首次通过一套全面的基于二维材料的晶体管数据测试了这些理论发现
占地面积最小的器件具有30纳米的通道长度 “尽管与硅晶体管仍有一个数量级的差距，但我们已经将场效应晶体管器件带入了一个领域，在未来的逻辑和存储器应用中，它们显示出有希望的性能，”探索和量子计算imec主任Iuliana Radu说
“为了跨越这个数量级，我们已经确定了系统改进的途径，例如进一步减小栅氧化层厚度，实施双栅结构，以及进一步减小沟道和界面缺陷
我们正在将这一认识转移到我们的300毫米二维材料晶体管晶圆平台上，这是在去年的IEDM上宣布的
" 传输特性随着二氧化铪的减少而改善了亚阈值摆幅
信用:IMEC “作为世界领先的研究和创新中心，imec的职责是将设备扩展推向极限
imec首席执行官吕克·范·登·霍夫表示:“我们正在通过研究不同的扩展选项、提供最佳预测以及指导行业采用建议的解决方案来应对这一挑战。”
“我们的合作伙伴希望我们通过展示创新概念和新颖材料的潜力，引领并支持他们实现路线图
这就是为什么我如此激动，我们展示了超大规模二维材料器件的卓越性能，以及在300毫米工业晶圆厂大规模生产的进一步改进的可靠途径
"
来源：由phyica.com整理转载自PH，转载请保留出处和链接！
