学分：中华催化研究人员提出了一种策略同时将可轻盈可氧气空位和掺杂MO引入BI507BR纳米片中，用于高效光催化N2固定
通过优化的导通带位置，增强的光可用性，改善的N2吸附和改善的N2吸附和改善的N2吸附和改善的N2吸附，改性光催化剂已经实现了升高的光催化剂
）电荷载体分离
达到氨（NH3）的有效氮气（N 2）的问题已经提出了几十年的重大挑战，因为惰性N≡N债券可能很难被破坏使用极大的粘合能量为94095 kJ mol-1
迄今为止，N2至NH3的产业固定由能量密集的HABER-BOSCH过程垄断（673- 873 k和15-25MPa），不可持续地使用天然气，使氢气（H2）具有来自化石燃料的巨大能量的原料，导致大量的二氧化碳（CO2）排放
背景下，光催化N2还原为NH 3从N 2和水在环境条件下进行的可持续替代方法
然而，大多数传统光催化剂的效率仍然来自令人满意的主要原因惰性N 2，由N 2的弱结合导致催化材料并进一步的Ineff从光催化剂转移到N 2
的抗抗催化剂中转移，以促进N2光复制的效率，将电子捐赠的中心引入催化活化位点，以优化N2吸附性能并改善光屏蔽电荷输送催化剂是有希望的策略
氧空位（OV）代表N2固定的最广泛和最普遍的表面缺陷类型
一方面，可以均可为其相对较低而产生ov形成能量;另一方面，ov可以辅助光催化剂通过其在N 2捕获和激活
中的优越性，通过其优势来获得激励的N2固定光率，因此，具有足够多的半导体可能有利地改善它们N2固定性能
过渡金属（TM）掺杂是另一种普遍研究的有效方法，以改善N2固定的光照相，因为TM物种具有在低温下与惰性N 2结合（甚至官能化）的有利能力由于它们的空和占用的D-轨道，可以通过电子Mo的“验收捐赠”实现TM-N2相互作用，作为神秘的MO依赖性氮酶的催化中心的临界元件，具有对N2固定的注意力吸引了很多关注
至本端，富含ovs的和掺杂物质的材料是N2 Photofixation的理想候选物
另外，层状铋（BioBR）材料由于他们合适的乐队空白而吸引了众多的注意事项对于基于BioBR的半导体，例如Bi3O4br和Bi5O7br，诸如Bi3O4br和Bi507br的独特层结构
，已经揭示了其表面上足够的局部电子的ov促进惰性N2分子的捕获和活化最近，由教授领导的研究小组
福州大学义俊徐义徐徐报道称，ovs和莫掺杂到Bi5O7br纳米蛋白酶可以显着提高N2固定的光度
改良的光催化剂显示出优化的导电带位置，增强的光吸收，改进的N 2吸附和电荷载体分离，其共同有助于升高N 2固定光敏性
这项工作提供了设计光催化剂机智的有希望的方法H可轻盈可切换的OV，用于在温和条件下降低NH 3的N2降低，突出纳米结构的基于BioBR的光催化剂的广泛应用范围作为有效的N2固定系统
结果在中华催化期刊
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