中国科学院张楠楠 太赫兹脉冲通过氧化铝衬底上二氧化钒薄膜传播的示意图
测量了有光和无光时二氧化钒薄膜的太赫兹吸收的变化
(3)测量了有光和无光条件下VO2薄膜的太赫兹反射和反射相移的变化
信用:任庄 最近，一个由教授领导的研究小组
合肥物理研究所强磁场实验室的盛高智与合肥物理研究所和上海理工大学的合作者一起，基于强关联电子氧化物材料，发明了一种宽带可调谐太赫兹(THz)吸收体
太赫兹吸收体在太赫兹波屏蔽、太赫兹成像、太赫兹敏感热探测等领域有着广泛的应用前景，引起了众多研究者的关注
因此，不仅需要具有强吸收和宽带吸收带宽的吸收体，还需要具有可调特性的吸收体
通过引入强关联电子氧化物材料作为功能层，研究小组通过多层介质结构设计和光泵方法实现了这种强关联电子器件的宽带可调谐太赫兹光谱特性
所选的强关联电子材料VO2是活性太赫兹调制的极好候选材料，因为在TC = 340 K的绝缘体-金属转变期间，电导率、介电常数以及光学性质得到了戏剧性的转变，并且这种转变可以通过温度、电场和光来调节
通过利用光泵浦，在该多层结构器件中实现了超过74%的吸收调制深度
此外，在一定泵浦注量下，实现了反射太赫兹波的减反射(反射接近于零)和宽带π相移
经过多种测试和分析，本研究阐明了这些活性太赫兹多功能调制的物理起源
来源：由phyica.com整理转载自PH，转载请保留出处和链接！
