作者:鲍勃·伊尔卡，物理
（同organic）有机 InSe单晶的变形能力
β-InSe的晶体结构及在(110)面和(001)面上的投影
(二)生长晶体和(三)解理面
(D到F) InSe单晶被变形为各种形状而不断裂
折叠晶体板的扫描电子显微镜图像
半径
沿(H)和垂直于(I)c轴的压缩工程应力-应变曲线
在所有照片中，最小的网格表示1毫米
学分:科学(2020)
DOI: 10
1126/科学
aba9778 隶属于中国多个机构和美国一个机构的一组研究人员
S
发现硒化铟(InSe)半导体晶体具有非凡的灵活性
在他们发表在《科学》杂志上的论文中，该小组描述了InSe的测试样本以及他们对材料的了解
北京科技大学的韩小东在同一期杂志上发表了一篇观点文章，概述了该团队在中国的工作
研究人员指出，大多数半导体都是刚性的，这意味着它们很难用于需要不同表面或弯曲的应用中
这给便携式设备制造商带来了问题，因为他们试图响应用户对可弯曲电子器件的需求
在这项新的努力中，中国的研究人员发现了一种半导体InSe，它不仅柔韧，而且柔韧到可以用滚筒加工
InSe，顾名思义，是一种由铟(一种经常用于触摸屏的金属元素)和硒(一种非金属元素)制成的化合物
硒也是一种二维半导体，在研究人员发现它的带隙与电磁波谱中的可见光区相匹配后，它受到了仔细的检查
它以前曾被研究用于特种光电应用
在这项新的努力中，研究人员研究了将其用作可弯曲便携式电子设备中的半导体的可能性
在测试这种材料时，研究人员发现它在室温下的压缩应变约为80%
他们还发现，由大约105层材料制成的单个薄片仍然非常容易弯曲
额外的测试表明，大块InSe的带隙约为1
室温下为26电子伏，呈蜂窝状六方晶体结构
它的层是通过硒-铟-硒共价键形成的，这些层是通过硒-硒范德华相互作用结合在一起的
也许最重要的是，研究人员发现，这种材料可以通过热机械轧制大规模生产，即使用一系列越来越小的辊子将材料压平并加宽成薄的连续片材
研究人员的结论是，InSe可能适合用于开发下一代可变形甚至柔性的电子设备
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