物理科技生物学-PHYICA

研究人员对二维半导体二氧化锡进七原罪第二季第24集行理论预测

化学 2022-05-02 00:02:10

中国科学院张楠楠 无花果

一个

2Dδ-二氧化锡单层的原子结构

因在y方向上施加拉伸应变而产生的x方向上的应变

信用:姜鹏 最近,教授

来自合肥物理研究所固体物理研究所(ISSP)的郑小红研究小组通过第一性原理计算预测了一种新的二维二氧化锡单层相

块状二氧化锡是一种重要的n型宽带隙(~3

6 eV)半导体,并广泛用作电极材料、化学传感器元件等

但是对二维中可能的氧化锡相的系统研究仍然缺乏

特别是,给定二氧化锡薄膜中磁性的主张,是否可以合成稳定的二氧化锡二维相或可以诱导磁性是值得研究的

在本研究中,研究人员基于密度泛函理论方法提供了稳定且新的具有膨胀性质的二氧化锡(δ-二氧化锡)二维相的直接证据,其负面内泊松比和高电子迁移率令人印象深刻

此外,他们发现二氧化锡的价带结构在费米能级附近出现了双墨西哥帽状能带边缘,因此在非常宽的浓度范围内,空穴掺杂可以引起铁磁相变和半金属基态

他们还证明了二氧化锡单层可以调整为XY磁体或伊辛磁体,在适当的空穴浓度下,磁性临界温度高于室温

所有上述发现表明,二氧化锡的二维相预测提供了一个罕见的p型磁性的新例子和自旋电子学应用的潜在候选材料

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