中国科学院张楠楠 零场冷却后的低温磁阻效应
零场冷却后合金薄膜在10 K时的磁阻
(二)与甲相同的过程，但订购的胶片在0
38 K
信用:田淼 一个中国联合小组进行了一项研究，发现了复合氧化物中电子相分离现象的物理来源
这项工作由复旦大学的与合肥物理研究所强磁场实验室的和田合作完成，并发表在《中国科学院院刊》上
锰酸盐中的电子相分离是电子相的不均匀空间分布，其长度尺度远大于结构缺陷或化学掺杂剂的不均匀分布
早期不同的理论解释了锰氧化物中电子相分离的起源
一种理论认为化学掺杂引起的无序是锰氧化物中电子相分离的起源
如果完全“干净”的样品可以生长，相分离和非线性将被一个双临界相图取代
然而，制备完全有序的掺杂样品是非常困难的，对锰氧化物中电子相分离起源的研究一直缺乏直接的实验验证，至今仍有争议
为了解决这个问题，该小组开始在稳定强磁场设施WM1装置上进行联合工作，这样他们就可以在极低的温度和强磁场下收集实验数据
通过使用逐层超晶格生长技术，他们制备了完全化学有序的“三色”锰酸盐超晶格，并将它们的性质与同价合金锰酸盐薄膜的性质进行了比较
他们提供了直接的实验证据，表明化学掺杂剂诱导的无序是锰氧化物中电子相分离的起源
他们通过揭示复杂氧化物中电子相分离现象的物理起源，在解决一个长期且具有挑战性的问题上取得了突破
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