中国科学院张楠楠 (a)
0以下磁化率的温度依赖性
H//c & H//ab 3T；(b)
Tc/TF2D的比值为CuxBi2Se3作为非常规超导体提供了实验证据
信用:SIOM 近年来，寻找非平凡拓扑材料已成为凝聚态物理中的一个热门话题
自从2010年Hor等人首次报道在铜掺杂拓扑材料Bi2Se3中发现超导性以来，CuxBi2Se3因其独特的物理性质和晶体结构成为最有前途的拓扑超导体材料之一
然而，超导转变温度Tc高达3
对于低载流子密度半导体来说，8 K的CuxBi2Se3出乎意料地“高”
迄今为止，尽管进行了近十年的广泛研究，这种反常的Tc增强现象的机制仍不清楚
在中国科学院上海光学与精细机械研究所最近进行的一项工作中，用改进的布里奇曼方法生长了高质量的CuxBi2Se3单晶
x=0时生长晶体的Tc
09可能达到4
18 K，是迄今为止CuxBi2Se3报道中最高的
对Cu0的磁化率、临界场和电输运的系统研究
09Bi2Se3单晶被用来探索异常增强的Tc及其超导特性
有趣的是，在96 K时，在磁化率与温度的关系中观察到一种新的扭结，这表明电荷密度异常，可能是电荷密度波(CDW)跃迁
低温下磁电输运的分析产生了高的Kadowaki-Woods比，这可能是由电荷密度不稳定性和/或强的电子各向异性增强的
基于较低的临界场测量，发现能隙比δ0/kBTC明显大于标准BCS值1
764，暗示Cu0
09Bi2Se3强耦合超导体
Tc/TF2D和Tc/λ-2(0)的比值都属于非常规超导体的范畴，这支持了CuxBi2Se3中的非常规超导机制
他们的研究表明，CuxBi2Se3中的高Tc是由费米能级的态密度增加和电荷密度不稳定性引起的强电子-声子相互作用引起的
结果表明，通过选通技术或高压技术，可以进一步获得更高的铜铟锡氧化物中的温度系数，如在铁硒化物超导体中所实现的那样
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