美国物理研究所 传统硬盘写头和新提出的通量控制硬盘写头的比较
在通量控制硬盘驱动器写头中，光纤通道设备的磁化通过自旋转移扭矩逆着间隙场反转
反向磁化降低了写间隙内的磁通量，增加了写间隙外的磁通量，增强了记录场的振幅和梯度
信用:广文治 日本东芝公司的研究人员研究了一种小型设备的操作，这种设备是在硬盘驱动器的写磁头的写间隙中制造的，以增加其记录密度
该设备由HWY科技公司开发，基于一种被称为微波辅助磁记录或MAMR的设计理念
这项发表在《应用物理学杂志》上的技术使用了一种被称为自旋扭矩振荡器的微波场发生器
自旋扭矩振荡器发射微波场，使记录介质的磁性粒子像陀螺一样摆动
这使得当写入头在写入过程中施加记录磁场时，它们更容易翻转
在计算机的硬盘中，每一位数据都存储在称为颗粒的磁性粒子中
晶粒的磁性取向决定了该位是0还是1
使谷物变小可以使它们更紧密地堆积在一起
这增加了存储容量，但也使数据位不稳定
MAMR的发展允许使用更稳定的磁性材料，但也限制了可以开发的记录介质的类型
研究人员将注意力集中在另一种被称为通量控制效应的效应上，这种效应也发生在MAMR
这种效应改善了记录场，并且当自旋扭矩振荡器的磁化与间隙场完全相反时，这种效应达到最大
根据作者广文治的说法，FC效应的优点是在任何磁记录中都可以获得改善
这很重要，因为不再需要使用专门为MAMR技术设计的记录介质
光纤通道器件是一种设计用于最大化光纤通道效应的自旋扭矩振荡器，由直接制作在写入头写入间隙中的两个磁性层组成
提供给该器件的偏置电流通过称为自旋转移转矩的效应使其中一层的磁化反转
研究人员用不同的偏置电流进行实验，发现在更高的电流下，磁化反转发生得更快
在将他们的实验与计算模型进行比较后，他们还确定记录场被FC效应增强，提高了写头的可写性并超过了传统写头的性能
据苏托称，光纤通道设备以每秒约3千兆位的快速写入速率有效运行
这些结果提供了证据，表明光纤通道设备按设计运行，并表明光纤通道MAMR是一项有前途的技术，以扩大硬盘驱动器的面密度
东芝计划引进使用MAMR技术的硬盘驱动器，将硬盘容量提高到16-18tb
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