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通过提供纳米缓冲层改善发光性能
信用:计算机脚本有限公司 在《光电进展》杂志的一份新出版物中，由中国南京东南大学徐春祥教授领导的研究人员讨论了纳米缓冲控制电子隧穿来调节异质结界面发射
发光二极管广泛应用于照明和显示领域
当考虑界面损耗和载流子浓度匹配时，同质结是最佳选择
然而，对于一些难以获得同质结的半导体材料，能级匹配异质结构也是构建发光二极管的一种选择
与氮化镓相比，氧化锌的带隙为3
37ev，与GaN类似
然而，它的激子结合能高达60兆电子伏，比室温热能(26兆电子伏)大得多
因此其激子在室温下可以稳定存在，有望实现室温激子型发光器件和低阈值激光器件
1997年，唐子康教授在室温下获得了ZnO薄膜的光泵受激发射；发表在《科学》杂志上的一篇关于这项工作的文章预测了氧化锌在紫外激光器件领域的潜在优势，并提出“紫外激光会打败蓝调吗？”
可见界面发射在氮化镓/氧化锌发光二极管中是不可避免的
引入电子势垒是一种常见而有效的方法
在现有的研究中，合适的电子阻挡层可以有效阻挡界面发射，但如果能够通过调节界面发射来使用，将有效提高LED的发光效率
器件制造示意图
信用:计算机脚本有限公司 鉴于上述问题，本文作者系统地研究了二氧化铪电子阻挡层对氮化镓/氧化锌结构界面发射的调控
他们详细讨论了超薄二氧化铪层引入后器件结构的电场变化、能带变化和电子隧穿特性，从而勾勒出这些对器件电致发光特性的影响
结果表明，当氧化铪层厚度为5
03 nm时，器件的能带变得更陡，并且在ZnO和HfO2层之间的界面处将产生大的隧穿电流
界面发光波长将从414纳米移动到394纳米，并且器件的总发光强度将增加大约两倍
本文提供了一种半导体异质结构界面发射控制的研究方法，以及一种获得高效纯色异质结构发光二极管的制备方法
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