东北大学的小岛康誉 由光致发光光谱学获得的IQE曲线(左)
Y轴代表IQE百分比，下X轴代表激发光功率密度，上X轴代表激发速率
分开的发光率(WR)和不发光率(WNR)(右)
Y轴代表速率的倒数(ns)，下X轴代表激发光功率密度Ppulse (nJ/cm2)，上X轴代表激发载流子浓度nini (cm-2)
学分:东北大学 高效的电子和光学设备对于降低能耗和实现生态友好型社会至关重要
在直接带隙半导体中，氧化锌是一种很有吸引力的材料
它们具有发光特性和韧性以维持大的电场，这使得它们能够驱动电子器件，因为它们具有大的带隙能量和大的激子结合能
这也使它们适用于抗辐射薄膜晶体管和异质结构场效应晶体管
在高质量的氧化锌晶体中，非辐射复合中心对近带边缘(NBE)发射很重要
这些中心充当不希望的能量耗散通道，并降低NBE发射的IQE
为了了解发光过程和非发光过程在确定IQE行为中是否更重要，小岛康誉和他的同事测量了水热法生长的氧化锌晶体的IQE值
为了做到这一点，他们采用了小岛康誉和其他研究人员创造的一种技术，称为全向光致发光光谱——一种用光探测半导体晶体以检测缺陷和杂质的非破坏性方法
在光抽运条件下研究了氧化锌晶体的IQE特性
IQE值表明弱光抽运条件下的恒定行为以及强激发下的单调增加
因为观察到光抽运的非发光过程的显著减少，所以IQE增加的起源被揭示为由非发光过程的减速所支配，这是由于核受体的饱和
该研究的主要作者卡赞布·小岛康誉教授说:“从这两个过程中获得IQE的定量分析，可以让我们更好地设计半导体，以改善IQE。”
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