通过张楠安,中国科学院索坦旋转素不对称依赖性的实验与理论单核敲除横截面的比率
孵化区域表示从实验中的系统学中级能源(中国科学院现代物理研究所的物理评论C研究人员(CAS)及其合作者系统地测量了富含中子碳同位素的淘汰横截面通过使用兰州(HIRFL)的重离子研究设施的冷却器储存环(CSR)的外部目标设施(ETF)来高能区
通过轻微核目标诱导的敲除反应被证明是一种强大的工具,用于探测远离稳定线的罕见同位素的单颗粒结构
通过在100meV / u以下的中间能量下使用敲除反应研究了不稳定同位素的光谱因素
发现了强烈核心敲除的eAcience光谱因素远小于反应模型的重组
梁的高能量对于使用突然和eikonal近似的反应模型的适用性至关重要
[因此,在较高梁能量下研究这些反应的重要价值是重要的HIRFL-CSR的放射性离子束线RIBLL2是世界各地的少数设施中的一个,可以提供放射性离子束中间至高能量(200-1000 MeV / U)
在这项工作中,通过RIBL12产生的富含中子的14-16C光束接近〜240mEV / U研究人员研究用大验收磁光谱仪ETF的这些中子富含同位素引起的敲除反应还研究了提取的光谱强度降低的束能量依赖性
单核聚核淘汰结果表明,提取的光谱因素没有明显依赖梁能量,并意味着推导的光谱因子是对中间能源区域的光束能量的变化稳健的鲁棒
这对eIkonal模型在接近或高于100meV / U的横梁能量的敲除反应中增加了进一步的信心
结果在物理审查中公布C
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