东北大学 变温光致发光光谱学方案
在(b)温度= 300 K和(c)温度= 12 K时测得的光致发光和SPL光谱以及r(光致发光强度除以SPL强度)
信用:卡赞布小岛康誉 东北大学的研究人员揭示了全向光致发光光谱的更多细节，这是一种用光探测半导体晶体以检测缺陷和杂质的方法
东北大学材料科学家卡赞布·小岛康誉说:“我们的发现证实了光致发光测量的准确性，并显示了用光致发光方法测量晶体光吸收的可能性，使这一过程变得更加容易。”
在高效电子和光学设备的发展方面已经取得了巨大的进步
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紫外、蓝光和白光发光二极管以及高频晶体管，它们使用氮化物半导体，特别是铝镓氮化物、铟镓氮化物和氮化镓
氮化镓具有高带隙能量、高击穿电场和高饱和电子速度，是一种适用于功率器件的材料
制造商非常需要能够检测晶体缺陷并测试其效率
在这样高质量的晶体中，非辐射复合中心的浓度是晶体质量的一个很好的预测因素
湮灭光谱学、深层次瞬态光谱学和光致发光光谱学是用于检测点缺陷的估计技术，点缺陷是核反应堆的来源
光致发光光谱很有吸引力，因为它不需要电极和触点
由小岛康誉和他的研究团队在2016年首次提出的光致发光是一种新的光致发光光谱形式，它通过使用积分球来量化样品半导体晶体中辐射的量子效率，从而测量光致发光强度
它是非接触的，非破坏性的，适用于室内照明发光二极管和电动汽车晶体管的大尺寸氮化镓晶片
然而，直到现在，在ODP中形成的双峰结构的起源仍然是难以捉摸的
小岛康誉和他的团队在12 K和300 K之间的不同温度下，对氮化镓晶体进行了在线光致发光和标准光致发光(SPL)光谱实验
氮化镓NBE发射的光致发光光谱与SPL光谱的强度比，在基本吸收边缘能量以下，光子能量呈线性递减斜率
在r中获得的斜率对应于在许多半导体晶体中观察到的所谓的乌尔巴赫-马丁森(U-M)吸收尾
因此，在氮化镓晶体NBE发射附近的光致发光光谱中，双峰结构的起源是由于U-M尾
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