美因茨大学 与铁磁体相反，反铁磁材料中的微观矩具有交替的取向
荣誉:洛伦佐·巴尔德拉蒂，JGU 美因茨大学的研究人员已经表明，信息可以存储在反铁磁材料中，并测量写入操作的效率 人们存储越来越多的信息，而终端设备变得越来越小
然而，由于技术的不断进步，基于硅的传统电子器件已经达到了物理极限，例如存储信息所需的比特大小或电子数量
自旋电子学，尤其是反铁磁材料，提供了另一种选择
在自旋电子学中，信息不仅存储在电子的电荷中，还存储在它们的自旋和相关的磁矩中
这样，在相同的空间中可以存储两倍的信息
然而，迄今为止，在反铁磁材料中电存储信息是否可能还存在争议
约翰尼斯·谷登堡大学美因茨分校(JGU)的研究人员与日本仙台的东北大学合作，现已证明它是有效的
洛伦佐·巴尔拉蒂，玛丽·斯克洛多斯卡-居里JGU大学马蒂亚斯·克鲁伊教授团队的研究员，说:“我们不仅能够证明信息存储在反铁磁材料中是完全可能的，而且能够测量信息在绝缘反铁磁材料中的电写入效率
" 在他们的测量中，研究人员使用了反铁磁绝缘体氧化钴CoO，一种为未来自旋电子学应用铺平道路的模型材料
结果是:电流比磁场更有效地操纵反铁磁材料
这一发现为从不能被外部磁场擦除的智能卡到超快计算机的应用开辟了道路——这要归功于反铁磁物质优于铁磁体的优越性质
这篇研究论文最近发表在《物理评论快报》上
在进一步的研究中，JGU大学的研究人员希望调查信息保存的速度以及信息的压缩程度
“我们与自旋电子学领域的领先大学东北大学的长期合作产生了另一项令人兴奋的工作，”马蒂亚斯·克莱瑞教授说
“在德国交流服务机构、美因茨卓越材料科学研究生院和德国研究基金会的支持下，我们发起了美因茨和仙台之间的活跃交流，与该主题的前沿理论小组合作
学生们注意到，我们有机会在两所大学之间获得第一个联合学位
这是在新兴的反铁磁自旋电子学领域组建国际优秀团队的下一步
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