巴尔-伊兰大学 巴尔-伊兰大学的研究人员已经证明，由N个交叉椭圆组成的相对简单的磁性薄膜结构可以支持2N个磁态的2次方，比以前想象的要大得多，并证明了在自旋流状态之间的转换
在相对简单的结构中稳定和控制指数数量的离散磁态的能力构成了自旋电子学的主要贡献，并且可以为每个单元具有非常大数量的状态的多级磁存储器铺平道路，用于神经形态计算等等
该图像显示了由该结构支持的模拟磁状态的例子，以及用扫描电子显微镜拍摄的设备本身的照片
信用:舒班卡尔达斯，阿里埃勒扎伊，莫蒂舒尔茨和利奥克莱因 在一项新的研究中，由教授领导的一组研究人员
巴尔-伊兰大学物理系和纳米技术与高级材料研究所的里尔·克莱因已经表明，相对简单的结构可以支持指数数量的磁性状态——比以前想象的要多得多
他们还展示了通过产生自旋电流来切换状态
他们的结果可能为每个单元具有非常多的状态的多级磁存储器铺平道路；它还可以应用于神经形态计算的发展，等等
他们的研究作为专题文章出现在6月份的《应用物理快报》的封面上
自旋电子学是纳米电子学的一个蓬勃发展的分支，除了传统电子学中使用的电子电荷之外，它还使用电子的自旋及其相关的磁矩
自旋电子学的主要实际贡献在于磁传感和非易失性磁数据存储，研究人员正在开发基于磁的处理和新型磁存储器方面寻求突破
自旋电子器件通常由稳定磁态之间的自旋极化电流操纵的磁性元件组成
当自旋电子器件用于存储数据时，稳定状态的数量设定了存储容量的上限
虽然当前商用磁存储单元具有对应于两种存储状态的两种稳定磁状态，但是增加这一数量有明显的优势，因为这将潜在地允许增加存储密度，并且能够设计新型存储器
巴尔-伊兰大学的研究人员已经证明，由N个交叉椭圆组成的相对简单的磁性薄膜结构可以支持2N个磁态的2次方，比以前想象的要大得多，并证明了在自旋流状态之间的转换
在相对简单的结构中稳定和控制指数数量的离散磁态的能力构成了自旋电子学的主要贡献，并且可以为每个单元具有非常大数量的状态的多级磁存储器铺平道路，用于神经形态计算等等
该图像显示了由该结构支持的模拟磁状态的例子
信用:舒班卡尔达斯，阿里埃勒扎伊，莫蒂舒尔茨，利奥克莱因 在相对简单的结构中稳定和控制指数数量的离散磁态的能力构成了对自旋电子学的主要贡献
这一发现可能为每个单元具有非常多状态的多级磁存储器(例如
g
，N=4时有256个状态)，可以用于神经形态计算，等等
克莱恩博士的研究小组包括
舒邦卡·达斯、阿里尔·扎伊和博士
Moty Schultz
巴尔-伊兰大学的研究人员已经证明，由N个交叉椭圆组成的相对简单的磁性薄膜结构可以支持2N个磁态的2次方，比以前想象的要大得多，并证明了在自旋流状态之间的转换
在相对简单的结构中稳定和控制指数数量的离散磁态的能力构成了自旋电子学的主要贡献，并且可以为每个单元具有非常大数量的状态的多级磁存储器铺平道路，用于神经形态计算等等
该图像显示了由该结构支持的模拟磁状态的例子
信用:舒班卡尔达斯，阿里埃勒扎伊，莫蒂舒尔茨，利奥克莱因
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