a，b，电路图(a)，在VCC = 3.5伏和电压控制= 0.5、1.0、1.5和2.0伏时测量的有机互补反相器的静态传输特性(b ),通过集成七个互补反相器制造的七级环形振荡器的照片。一个七级互补环形振荡器的每级振荡频率和信号传播延迟是电源电压VCC的函数。该电路可以在低至2.0 V的电源电压下工作，每级信号传播延迟短至11 ns。基于有机晶体管的集成电路有许多有价值的应用，例如，在纸状显示器或其他大面积电子元件的制造中。在过去的几十年里，世界各地的电子工程师开发了各种各样的这种晶体管。垂直c沟道双栅极有机薄膜晶体管是这些晶体管的一个很有前途的替代品。这些晶体管具有几个有利的特性，例如短沟道长度和可调阈值电压(VTH)。尽管有这些优势，但由于缺乏合适的p型和n型器件，迄今为止，为这些晶体管开发互补反相器电路被证明具有挑战性。
德累斯顿工业大学、亥姆霍兹-曾特朗德累斯顿罗森多夫(HZDR)和西北工业大学的研究人员最近开发了可集成在逻辑电路中的垂直有机可渗透双基极晶体管。在《自然电子》杂志最近发表的一篇论文中，他们评估了这些晶体管在复杂集成电路中的潜在用途。
进行这项研究的研究人员之一郭尔娟告诉TechXplore，“我们在《自然通讯》杂志上之前的研究中开发的双栅极晶体管由单个垂直沟道薄膜晶体管组成，该晶体管具有额外的第二栅极和第二电介质，可用于调整其阈值电压。“在我们的新研究中，我们进一步研究了垂直沟道双栅极晶体管在更复杂集成电路中的功能和优势，例如有机互补反相器和环形振荡器。
郭和她的同事通过连接垂直n沟道有机可渗透双基极晶体管(OPDBTs)和垂直p沟道有机可渗透基极晶体管(OPBTs)创造了集成互补反相器。值得注意的是，OPDBTs中的第二门可以控制晶体管的导通和关断状态，从而影响反相器的状态。
“根据我们收集的测量结果，我们发现，在0.8 V的输入电压下，双基极晶体管能够实现互补逆变器的宽范围开关电压可控性
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