图1是根据一个实施例的叉片式晶体管的透视图。信用:https://www.freepatentsonline.com/·20210407999.pdf推特用户@Underfox3发布了一条推文，显示英特尔申请了一项专利。其中，英特尔申请了一项堆叠叉片式晶体管的专利——一种堆叠晶体管，可能允许该公司生产其上有18安gstrom晶体管的芯片。该专利申请由英特尔的组件研究小组填写，证明了两家公司在开发速度更快或功耗更低的芯片方面的优势。这种设计被描述为一种晶体管器件，它是由紧靠主干边缘的垂直半导体沟道叠层制成的。然后，在第一晶体管的顶部堆叠第二晶体管，该第二晶体管也具有紧邻主干的半导体沟道的垂直堆叠。
采用这种堆叠晶体管技术，英特尔可以在一个芯片上增加更多的晶体管，并通过赋予芯片发送三维信号的能力来实现晶体管之间更快的通信，而不是目前芯片上使用的二维技术。
值得注意的是，英特尔在最近公开的幻灯片中加入了一个名为20A的节点，展示了该公司新的节点命名惯例——A代表埃。其中20个相当于2纳米(尺寸指的是栅极之间的距离)，这表明新的晶体管设计(使用该公司描述的RibbonFET技术)将低于3纳米，这是目前的公司标准。除了新的节点命名，英特尔还建议对20A进行一些改进，这将导致18A的发展。一些媒体认为，新的改进可能是应用堆叠式叉车。
此外，“叉片”一词似乎来自一家名为Imec的比利时公司，该公司于2019年在网上发布了一份文件，描述了一种堆叠型晶体管，他们称之为叉片。英特尔没有对他们提议的叉片式晶体管的性能做出任何声明或预测，但Imec在他们的帖子中声称，他们的设计将导致10%的速度提升或24%的功耗降低。
来源：由phyica.com整理转载自PH，转载请保留出处和链接！
