Credit: CC0来自IBM和三星的公共领域官员在今年旧金山的IEDM会议上宣布了一项关于在芯片上垂直添加晶体管的新芯片设计的合作。作为他们声明的一部分，他们建议他们的垂直传输场效应晶体管(VTFET)可以将处理器芯片的速度提高一倍，或者将他们使用的功率降低85%。自从数字技术开始以来，处理芯片是通过在芯片上放置微小的晶体管并将其连接起来而制成的。随着时间的推移，工程师们在保持大致相同尺寸的芯片上放置了越来越多的晶体管——通常遵循摩尔定律，即芯片上的晶体管数量应该每年翻一番。工程师们很久以前就知道摩尔定律是有极限的——最终，再增加一个晶体管是不可能的，更不用说是现有晶体管数量的两倍了。
因此，研究人员正在寻找制造芯片的其他方法。但与此同时，工程师们继续寻找在传统芯片上增加更多晶体管的方法。在他们的声明中，IBM和三星解释说，他们正在采取措施开始设计可以垂直扩展的芯片。从实际意义上来说，此举是不可避免的。举个例子，当城镇变得太大而无法提高效率时，工程师们开始建造更高的建筑，基本上将2D的城镇变成了3D城市。IBM和三星(无疑还有其他公司，如英特尔)的官员和工程师认为，现在是开始对微处理器采取同样措施的时候了。
IBM和三星的VTFET设计在很大程度上仍处于发展阶段——没有芯片可以安装在实际的计算机中，但它确实标志着计算新时代的开始，届时计算机和其他数字设备(如手机和平板电脑)不仅运行速度更快，而且消耗的能量也将少得多，从而使电池续航时间更长。这是因为垂直设计将允许缩短电子在晶体管之间发送信号时所需的路径。
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