物理科技生物学-PHYICA

为MoS2晶体管创建亚1纳米栅极长度

技术工程 2022-04-12 21:55:15

Creating sub-1-nm gate lengths for MoS2 transistors0.34nm栅长侧壁单层MoS2晶体管器件结构与表征。信用:自然(2022)。DOI: 10.1038/ s41586-021-04323-3中国清华大学的一个研究小组在MoS2晶体管中创造了一个亚1纳米的栅极。在他们发表在《自然》杂志上的论文中,该小组概述了他们如何创建这个超级微小的栅极,并解释了为什么他们认为任何人都很难打破他们的记录。在微计算历史的大部分时间里,摩尔定律都是成立的——研究人员和工程师通过减小组件的尺寸,成功地将计算机的速度和能力提高了一倍。但最近,随着科学家们遇到物理限制,让组件变得更小变得越来越困难。在这项新的努力中,研究人员相信他们可能已经碰到了最终的极限——他们建造了一个只有一个原子长的门。

最基本的,晶体管是一个源极和一个漏极,一个栅极控制着它们之间的电流。它的开关取决于用了多少电。减小元件尺寸的努力已经导致了对碳纳米管等材料的测试,这些材料大约为1纳米,可用作门。在这项新的努力中,研究人员展开了碳纳米管,并将其石墨烯边缘用作栅极——将其长度减少到仅为0.34纳米。

为了制作他们的栅极,以及源极和漏极,研究人员创造了一种多层夹层材料。底部硅层充当基底,其上覆盖一层石墨烯,然后是一层氧化铝。接下来,他们蚀刻材料,从晶体管的一半去除顶层,留下阶梯结构,露出石墨烯层的边缘,允许其用作栅极。然后他们用一层氧化铪覆盖晶体管的两个部分,以在源极和dr ain之间创建一个通过栅极的通道。最后,他们添加了两个金属电极,一个在台阶的上部作为源极,一个在台阶的下部作为漏极。

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