JSP已宣布使用二维（2D）材料（六边形氮化物; H-BN）作为铁磁性隧道结（MTJ）的隧道屏障的分析，其可以期望隧道磁阻（TMR）比率高达1,000％和界面垂直磁性各向异性（IPMA）
在包含三层CoFeB / MgO / CoFeB的MRAM器件中的最先进的MTJS，并且已经实际上与Δ1相干隧穿和界面垂直磁的关键功能一起使用各向异性（IPMA）Δ1相干隧道增加MTJ的高输出和旋转转移扭矩切换效率
IPMA有助于数据保留的可靠性超过10年John Robertson和Hiroshi Naganuma解释说，“我们计算出垂直通过考虑未来的2D材料和MTJs
“的传导和IPMA通过考虑未来的2D材料
”，设想了通过将晶体管和MTJS与高in - 2D材料的平面迁移率和电场效应国际协作团队发现了CO和N原子之间的相对位置关系，而不是由于2D本发明之间的界面处的轨道杂交，增强了IPMAL（H-BN）和铁磁性金属（CO，Fe）
我们预测了使用H-BN作为a的铁磁隧道结（MTJ）中出现高达1,000％的隧道磁阻（TMR）比例隧道屏障
“弱和灵活”的化学键合通过van der waals力使得在铁磁隧道连接中的设计自由度
，其对平面内/垂直组合的混合集成电路的预期通过利用2D材料的高面积迁移率和在垂直于平面的方向上的隧道传导
杂交，N-ON的N pz轨道杂交和顶部CO层的CO DZ2轨道。最高州
学分：托福大学结果在Online在线在线公布，因为编辑在应用物理学中的选择
图1显示了5层H-Bn和Co
的传输功能和总计算的TMR比率假设CO和H-BN层的顶层和H-BN层物理吸附的顶层和H-BN层的顶层具有最高的间隙距离，并且可以理论地获得TMR比率
本文也可以获得高达1,000％的TMR比率。关于各种原子位置与TMR比之间的关系的报告，发现相对原子排列关系对具有石墨烯壳体的TMR比具有很大的效果
，因此获得高度TMR比率，有必要控制原子位置关系USING先进的晶体生长技术
该团队计算了三种类型的原子位置关系，当设置CO和H-BN的界面并研究了IPMA
图2显示了CO的能量相图直接置于n
结果发现IPMA通过H-Bn和Co
的轨道杂交诱导，在该轨道杂交中，DZ2轨道之间的轨道和N H-BN中的PZ轨道在H-Bn中混合，并且空滴键CO DZ2状态向上移动（并且N PZ状态向下移位）[如图所示，它稳定了表面层的填充N PZ状态并从图2中的计算中诱导IPMA，当直接放置n时，当直接放置时的相互作用，将空的PDOS伏伏钮转移通过+1eV向上的CO层，导致杂交
这意味着存在N PZ的占据键态的相互向下移位，从而增加占用键并提供IPMA
总之，目前发现H-BN具有高TMR比率的IPMA，并且基于Van Der WaAs力的弱化学耦合使我们在选择的铁磁材料中提供了自由度，这在MTJ堆叠中有利的是有利的
此外，在2D配合中开发了使用高面内移动性的晶体管的研究RIAL，通过本研究阐明其在隧道电导中的用途是一项重大成就，将有助于未来的集成2D设备的发展
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