（c）4H-SICOI底物的总厚度变化
（d）的图像的4H-SICOI DID
（e）制造SiC微仪谐振器的流程图
（f）制造的微仪谐振器的扫描电子显微照片（SEM）（g）zoom-in sem图像T.侧壁HE谐振器
插图，谐振器顶表面的原子力显微照片（AFM）扫描
（h）侧视图SEM图像的具有抛物面状的上表面的制造的谐振器图像
学分：信贷：郑力王，志威方，a伦易，奔城阳，哲王，豪明的周，陈沉，依凡朱，元周，瑞宝，中旭李，杨辰，凯黄，嘉祥张，y郑和鑫欧SIC光子专业已经开发出多年来，主要障碍之一是难以制造超级光学损失SIC薄膜中国科学家们制造了一个超级丢失4h-sicoi平台记录 - 高Q系数7
1×106
非线性光子学过程，包括二次，第三和第四危害已观察到onic代，拉曼激光和克尔频率梳理
该示范代表了SiC光子器件的开发中的里程碑光子集成电路（PICS）和微生物引起了强烈的兴趣光子界
对于应用，实现低光学损失是至关重要的SIC PIC在十年上已经开发，已经在异膜制备的SiC薄膜上进行了许多作品生长
然而，由于增长界面附近的晶体缺陷的高密度，这些装置的质量因素限制为小于106
目前，如何进一步降低SiC薄膜的光学损失已成为科学家的主要问题为了探讨SIC在PICS应用中的优势
在一支科学家们发表的新论文中，这是一支科学家队，由新欧教授来自上海微系统学会功能材料的国家重点实验室和信息技术，中国科学院和同事制造了一个超级丢失4h-sicoi平台，记录高Q系数7
1×106
4h- Sicoi平台通过晶圆键合而不是稀释技术，使得相同的结晶素E质量为批量高纯4H-SIC晶体
高Q谐振器用于展示各种非线性工艺，包括产生多个谐波的产生，直到第四阶，级联拉曼激光和克尔频率梳已经观察到宽带频率转化，包括第二，第三 - ，第四谐波，FHG，FHG）
级联拉曼与拉曼偏移为204
03 cm -1已经在SiC微生物中在SiC微生物中进行了第一次
使用分散工程化的SiC微生物，以13mW的低输入功率实现了从1300至1700nm的克尔频率梳子
[图
高Q SIC光子学装置的演示代表了SIC PICS的发展中的重要里程碑这项工作也受到审稿人的高度赞扬
“在我看来，这项工作是新颖的，声音和重要的
我相信这项工作将为SIC带来巨大的势头在未来几年内集成的光子学“，”我相信这项工作将是SIC光子的里程碑“，”在这里显示的工作显示Q最多7
1×106的微生物，这肯定是一个主要的突破在滑动SiC“
（b）超opo光谱的发射泵功率产生的OPO光谱的光子器件的开发中的开发将泵波长谐振到1544
848 nm
（c）宽带克尔频率当在1544
848 nm
时学分：信贷：信任：郑伟，朱望，朱望，朱望，浙江省沉，依凡朱，元周，瑞宝，忠旭李，杨晨，凯黄，嘉祥张，雅成和鑫欧
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