通过Michigan大学（图1

（a）隧道结LED结构的示意图

（b）使用5nm GaN层内的代表性LED的模拟平衡带图

结构中使用的不同层被标记并用不同的颜色显示

学分：DOI：10

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学生AYUSH Pandey详细介绍了由PROM

Zetian MI在使用高处效率NCY紫外线发光二极管灭菌病原体

本研究，“高效的Algan / GaN / Algan隧道结紫外线发光二极管”赢得了来自光子学研究的2020年主编选择奖

每年，由于医疗保健相关和水性疾病，每年都在全球范围内花费数十亿美元

灭菌是一种关键预防措施，可以通过许多技术实现包括使用紫外线（UV）的辐射光

由于全球冠状病毒大流行，这种需求增加了迫切性，因为有效的灭菌措施可以缩小传染病的传播

汞灯如泥浆，含有有毒化学品，并且是有毒化学品在应用中不像半导体光源

AlGaN是高效率深紫色光源的选择的材料，这是替代用于水净化和消毒的汞灯的唯一替代技术

然而，迄今为止，基于Algan的中和深紫外线LED表现出非常低的效率

初级限制因子之一是较差的空穴注入，因为AlGaN合金使用Mg的无效P型掺杂，特别是对于高Al组成合金对于UV-C（200-280nm）波长范围是必不可少的

Ayush Pandey

学分：密歇根大学是一个有希望的技术，可以克服这一挑战并增强空穴注入到器件中的挑战区域是利用隧道结结构

这种装置中的空穴注入由来自p型层的价带的电子与N型层的导通带的连接器驱动

教授

密歇根大学的Zetian Mi的团体已经详细研究了在〜265nm的隧道结Uv-c LED的设计，外延，制造和表征

大带和reducAlGaN的掺杂效率使得P型和N型层之间的直接隧道难以克服这个问题，该团队研究了独特的设备设计，包括具有不同厚度的薄GaN隧道结层。以及顶部n型AlGaN的不同厚度

该技术依赖于III-氮化物的大自发和压电偏振场，其可以通过夹住两者之间的不同材料组成层来操纵掺杂的层，显着增加了隧道概率

此外，开发了一种特殊的金属半导体结辅助外延方法以显着改善富含铝的AlGaN层的Mg掺杂和空穴浓度

优化的隧道结装置显示出大大改进与具有p型AlGaN接触层的常规LED相比的电流 - 电压特性

在不存在任何缺陷发射峰的情况下转化为更强的电致发光的隧道结装置中的改进喷射

还观察到发射非常稳定，在宽喷射电流范围内峰值位置的变化很小

该团队已经实现了〜11％的最大外部量子效率，〜7的壁插效率〜7

6％，哪个曾为我们的知识〜265纳米操作的深紫色LED的最高值是迄今为止，提供了一个可行的路径，用于打破深紫外光态的效率瓶颈

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