中国科学院 BP-WSe2异质结构示意图
在光的激发下，WSe2中的电子和空穴对可以有效地传输到BP，从而增强其MIR光致发光
硼-二硫化钼异质结二极管示意图
在BP和MoS2之间的正偏压下，MoS2导带上的电子可以克服势垒，进入BP的导带，与BP中丰富的空穴复合
由此实现电致发光的有:宗新荣、胡华民、欧阳刚、、润时、、曾庆生、、陈寿恒、、、、、、魏煌、王太红、、陈小龙 研究人员已经在一种简单但新颖的范德瓦尔斯(vdW)异质结构中实现了光和电驱动的中红外发光器件，该异质结构由薄膜黑磷和过渡金属二元化合物(TMDC)构成
这项工作表明，vdW异质结构是一个有前途的平台，中红外研究和应用
红外光谱已广泛用于热成像、分子表征和通信
在微波成像技术中，微波发光二极管显示出窄线宽、低功耗和便携性的优点
自2014年发现薄膜光子晶体以来，由于其独特的性质，如面内各向异性、高载流子迁移率和可调带隙等，受到了广泛关注
，使英国石油公司成为一个有希望的电子和光电子应用材料
血压具有厚度依赖性(0
3-2 eV)的带隙，并且带隙大小可以通过引入外部电场或化学掺杂来进一步调整
由于这些原因，薄膜BP被认为是恒星MIR材料
以往的研究主要集中在单层和少层(层数为7层)的荧光性质上，在MIR区表现出显著的荧光性质
在《光:科学与应用》杂志的一份报告中，研究人员提出了一种新的vdW异质结构用于MIR光发射应用，该结构是由英国石油公司和TMDC公司(如WSe2和MoS2)构建的
根据密度泛函理论计算，BP-WSe2异质结构形成ⅰ型能带排列
因此，单层WSe2中的电子和空穴对可以有效地传输到窄带隙BP中，从而增强薄膜BP的MIR光致发光
在5纳米厚的BP-WSe2异质结构中实现了约200%的增强因子
另一方面，硼-二硫化钼异质结构形成第二类能带排列
在p型基极和n型二氧化硅之间的界面上形成自然PN结
当在BP和MoS2之间施加正偏压(Vds > 0)时，MoS2导带中的电子可以穿过势垒进入BP导带
同时，由于价带的肖特基势垒较大，大部分空穴被阻挡在BP内部的界面上
结果，在硼化钼-二硫化钼异质结构中实现了有效的MIR电致发光
BP-TMDC vdW异质结构具有许多优点，如制作工艺简单、效率高、与硅技术兼容性好
因此，该技术为研究硅-二维混合光电系统提供了一个很有前途的平台
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