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调节有机半导体电子性质的二维分子晶鬼父迅雷下载体

化学 2021-12-08 00:02:13

中国科学出版社 基于1D/2D复合单晶的场效应晶体管的底栅、顶接触示意图和掺杂前后的伏安曲线示意图

信用:中国科学出版社 有机场效应晶体管是塑料电子学的核心

掺杂已被证明能有效改善场效应晶体管的性能

有两种主要的方式来掺杂振荡器

第一个策略是批量掺杂

本体掺杂包括掺杂剂与主体有机玻璃的溶液相混合或气相共沉积

然而,体掺杂在主体材料中引入了结构缺陷和能量紊乱,这降低了有机半导体的迁移率

第二个策略是表面掺杂

表面掺杂是通过将掺杂剂沉积在主体振荡器的表面上来实现的

与体掺杂相比,掺杂剂没有结合到主体的晶格中,因此消除了由普通体掺杂引起的结构缺陷和能量紊乱

因此,表面掺杂被认为是有机电致发光器件无损掺杂的一种有效策略

到目前为止,各种结构的掺杂剂已经应用于表面掺杂

然而,大多数掺杂剂是多晶薄膜,其厚度没有得到很好的控制,因此,有机电致发光器件的性能改善受到限制

二维分子晶体是周期性排列的单层或几层有机分子,通过弱相互作用(例如

g

氢键、π-π相互作用、范德华力)

它们是具有长程有序的连续超薄薄膜

此外,二维多晶碳纳米管的厚度可以在单层水平上进行调节,从而能够以单层精度高度可控地掺杂多晶碳纳米管

因此,二维多晶碳是表面掺杂的潜在有利材料

最近,博士

天津大学的李荣锦和他的同事报道了一种基于一维/二维复合单晶的高效、高度可控的表面掺杂策略,用于提高场效应晶体管的迁移率和调节阈值电压

利用2DMC掺杂剂的分子尺度厚度,确保了与主体振荡器表面的紧密附着,并实现了有效的掺杂

更重要的是,具有可控层的2DMC的分子尺度厚度确保了以单层精度精确掺杂主体材料

在他们的研究中,一维有机单晶体微纤连体的TIPS-并五苯被作为一个例子OSC

与原始材料相比,基于一维/二维复合单晶的场效应晶体管的平均迁移率从1

31 cm2/V* s至4

71 cm2/V* s,相当于增加260%

同时,阈值电压从-18大幅降低

5伏至-1

实现了8 V

5的最大机动性

据我们所知,63 cm2/V* s高于绝大多数报道的TIPS-并五苯的迁移率

此外,高达108的高开/关比得以保持

二维多晶碳表面掺杂为多种应用提供了一种高效、可控的调控多晶碳光电性能的策略

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