由浦项科技大学主办 硒掺杂引起的电子结构变化
在低能区，观察到能带结构斜率的一种扭结-突变，随着硒含量的减少，它向低能区移动
通过第一性原理计算，证实了这种扭结的能量尺度与材料的相干温度尺度直接相关
信用:POSTECH 强关联系统是表现出电子之间强相互作用的材料，这是普通导体或绝缘体所没有的特性
典型的例子包括金属-绝缘体转变或非常规高温超导，其中电阻在高温下变为零
已经有研究解释了电子和它们的特征能级之间的这种强相互作用，但是没有通过理论或实验对这种能级进行直接观察的报道
为此，波斯泰克-IBS联合研究小组成功地直接观察了洪德金属在其电子结构中的相干能级的演化，从而阐明了其背后的原理
由智勋教授和申博士组成的联合研究小组
波斯泰克大学化学系的张博，金昌永教授和博士
基础科学研究所(IBS)相关电子系统中心的加拉姆·汉(Garam Han)发现，NiS2-xSex的电子能带结构的扭结行为会随着硒(Se)掺杂的程度而变化
研究人员使用角度分辨光电发射光谱来验证这一点
利用第一性原理计算，他们首次证明了这种扭结是由洪德耦合引起的，并且它与物质的特征相干能级有关
这些研究结果最近发表在《自然通讯》上
迄今为止，强关联材料中出现的独特现象通常用单带模型中的电子相互作用来解释
然而，大多数材料具有多波段性质，这限制了对应该考虑的洪德耦合效应的理解
研究小组通过控制掺入二硫化镍的硒来控制电子之间的相互作用强度
研究人员观察了低温下电子结构中扭结行为的演变，并证实这种扭结与系统的相干温度标度直接相关，被洪德耦合抑制
这项研究表明，基于单波段模型研究的传统图像应该在多波段系统中进行修改，在多波段系统中，洪德耦合起着重要作用
它通过低温下的电子结构直接观察物质的特征能级，因而受到学术界的关注
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