由萨里大学制作
显示(a)网格和薄膜尺寸和(b)结晶方向的示意图
三
05 mm对应于标准透射电子显微镜(TEM)网格尺寸，而窗口尺寸和晶体方向是绝缘体上硅(SOI)晶片的各向异性湿法蚀刻的结果
信用:DOI: 10
1103/PhysRevMaterials
五
124603 萨里大学的研究人员开发了一种单步程序，使单晶硅承受比以前更大的应力
这一发现正在申请专利，可能对硅光子学的未来发展至关重要，硅光子学支撑着物联网背后的技术，目前受到缺乏廉价、高效和易于集成的光发射器的限制
现在，萨里的研究人员正在将同样的程序转移到锗上
如果成功，他们将打开创造锗激光器的大门，这种激光器与硅基计算机兼容，并可能通过新的光电设备革新通信系统
这将解决过热问题，过热正成为硅基计算机系统发展的威胁，并将消除开发昂贵且难以集成的ⅲ-ⅴ族器件的需要，ⅲ-ⅴ族器件是试图克服过热的热门研究领域
将光子学完全转移到硅上是一个长期以来的目标，尽管在开发无源硅光子器件方面取得了许多成功，但迄今为止，使用周期表同一组元素的CMOS工业兼容激光器仍然难以实现
该团队最近获得了EPSRC新视野项目赠款，以开发他们的创新和推进他们的工作
这种新方法也是朝着制造近红外传感器迈出的重要一步，这可能为开发更复杂的smartph传感器铺平道路——为它们安装火灾报警器和一氧化碳传感器
发表在《物理评论材料》上的一篇新论文描述了该团队如何通过离子注入悬浮膜产生应变，其方式类似于拉紧鼓皮
这种效应是由注入区向下弯曲产生的，因为在注入的顶部区域下面还有一个晶体层，其机制类似于经受温度变化的双金属带
来自萨里大学高级技术学院和物理系的研究小组证明，多达3
1%的双轴应变和高达8
可以产生5%的单轴应变，但是指出了更大应变的方向，这可以通过改变注入种类和利用下面的晶体方向来实现
该方法远远超过了以前使用更复杂方法的记录
在第四族半导体锗中，电子带隙的间接到直接转变发生在比硅低得多的应变下，这种新方法提供了巨大的潜力
尽管该程序相对简单，并且指出了一种多功能、快速、普遍适用和广泛可用的应变控制技术，但其开发需要使用两个国家设施:萨里离子束中心，该中心允许用户使用离子注入、离子辐照和离子束分析进行各种研究，并且还具有广泛的处理和表征设施；国家物理实验室，即英国国家计量研究所，负责开发和维护国家初级测量标准，并确保尖端测量科学在现实世界中产生积极影响
博士；医生
萨里大学高级技术研究所的高级研究员大卫·考克斯说:“让我兴奋的是这种方法的简单性，它可以很容易地转移到生产方法中
令人兴奋的是，看看这是否能对第四族半导体光子学产生像阿尔夫·亚当在发展应变层第三-五族量子阱激光器上的长期遗产一样重大的影响
光子学对于21世纪的意义就像电子学对于20世纪的意义一样:革命性的
" 蜜桃红·马斯金博士
D
该研究的主要作者和学生说:“实时看到皱纹消失和细胞膜变平令人震惊
这项新技术有望对光子学领域产生极大的破坏性，我期待着继续开发基于这项技术的新设备
"
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