国立研究大学高等经济学院 设备的示意性结构信贷:大卫哈扎良 曼彻斯特大学高等经济学院、蔚山国家科学技术研究所和韩国科学技术研究所的科学家开发了一种新技术，该技术将平面和垂直异质结构的制造过程结合起来，以组装高质量的石墨烯基单电子晶体管
这项技术可以通过引入一个更广泛的平台来研究各种器件和物理现象，从而大大扩展二维材料的研究范围
手稿作为一篇文章发表在《自然通讯》上
在这项研究中，证明了高质量的石墨烯量子点，无论它们是有序的还是随机分布的，都可以在单层六方氮化硼(hBN)的基质中成功合成
这里，当整个结构被甲烷气体(CH4)中的热量处理时，在hBN层内生长的量子点被显示为由分布在hBN和支撑氧化硅(二氧化硅)晶片之间的铂(铂)纳米颗粒催化支撑
由于相同的晶格结构(六方)和小的晶格失配(~1
5%)的石墨烯和hBN，石墨烯岛以钝化的边缘状态在hBN中生长，从而导致嵌入hBN单层中的无缺陷量子点的形成
其中一个装置的光学显微照片(100倍)突出显示了石墨烯电极层 通过低温(3He，250mK)隧道光谱研究了通过标准干转移作为中间层结合到垂直隧道晶体管的规则结构中的这种平面异质结构
这项研究展示了一个位置，在这个位置上，每个石墨烯量子点的库仑阻塞现象都表现为一个独立的单电子传输通道
“尽管我们的单电子晶体管的卓越品质可以用于未来电子技术的发展，”该研究的合著者大卫·哈扎良解释道，他是健康、安全和环境物理系的副教授，也是固体物理研究所的研究员
从技术角度来看，这项工作是最有价值的，因为它为通过平面和范德瓦尔斯异质结构的结合来研究各种材料的物理性质提供了一个新的平台
" 石墨烯量子点在血红蛋白基质中的生长
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